近日,三星半导体官方在社交媒体发布预热消息,宣布“终极”SSD已经在路上了,并放出了产品的剪影图片。从产品剪影,以及近一段时间三星的产品节奏来看,这款被称为“终极SSD”的新品,很可能是已经通过认证的990 PRO。
根据三星990 PRO SSD的PCI-SIG认证信息,它将会采用PICE 5.0 X4,并为M.2规格,但具体的速度等性能参数都尚不清楚。
理论上讲,PCIE 5.0的SSD速度上限为16GB/S,但在实际使用中,三星的企业级PCIE 5.0 SSD PM1743的峰值速度也只达到了13GB/S,由此来看,990 PRO的性能估计也在13-14GB/S之间。
目前,三星尚未公布这款“终极SSD”的具体发售时间,但从990 PRO已经通过认证来看,这应该不会太远。
前段时间三星已经预热了990固态,但是后续陷入了是PCIE 4.0还是5.0的争议。不过,现在990怎样已经不重要了,三星真正的PCIE 5.0终极固态990 PRO已经备案,并且明确实PCIE 5.0!考虑到三星固态每代的性能表现,在这个傲腾已经成为历史的时代,三星的PCIE 5.0固态确实可以算作是终极固态了!大家期待一下它的表现!
新闻:三星或在今年内推出236层3D NAND闪存,以保证市场领先地位
这个月初,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,已向合作伙伴发送了238层512GB TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。
据BUSINESS KOREA报道,三星已经完成了采用第八代V-NAND技术产品的开发,将采用236层3D NAND闪存芯片,预计会在今年内实现批量生产。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心,将负责开发更先进的NAND闪存产品。
在NAND闪存市场里,三星的市场份额是最高的,到达了35%。不过目前三星的NAND闪存还停留在176层,采用的是第七代V-NAND技术,层数不但低于SK海力士,也落后于美光,这迫使三星加快了新型NAND闪存的开发步伐,以保证竞争优势。
今年5月份,美光宣布推出232层的3D TLC NAND闪存,并准备在2022年末开始生产,计划用在包括固态硬盘在内的各种产品上。该款芯片采用了CUA架构,使用了NAND的字符串堆叠技术,初始容量为1TB(128GB)。美光表示,CUA架构叠加新技术可以大大减小1TB 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸,这有助于降低成本。
此前三星曾表示,将按计划推进600层以上3D NAND闪存的研发,未来层数可能会超过1000层。同时会根据市场需求决定什么时候开始批量生产,一般12至18个月会进行更新。参照这样的时间表,搭载238层NAND闪存的存储设备大概率能在今年内看到。
而相应的,三星的新一代3D堆砌NAND闪存也要问世了,这次确实是落后于海力士有一段时间了。怎么说呢,这个3D堆砌层数实际是商业价值更高,因为可以提供更高的容量密度,性能上能有多大提升还得看实物。之前海力士曾PPT预言过,NAND闪存的3D堆砌上限应该在800层左右,不知道会是哪一家闪存厂商先达到这个极限呢??
目前业界正在从DDR4内存向DDR5内存过渡,AMD即将发布RYZEN 7000系列处理器及AM5平台,加上英特尔也会用RAPTOR LAKE取代ALDER LAKE,相信会让这一过程将会提速。内存生产厂商也会随着新平台的推出,调整不同类型内存的供应数量。
据WCCFTECH报道,三星计划对其内存的生产进行调整:首先将开始逐步减少DDR3内存的生产数量,同时降低DDR3内存的库存水平;其次会改变DDR4内存的定价策略,下调DDR4内存的价格,使得更具性价比,尽管从制造成本来看,这种下降幅度和速度有些许“不合理”;最后会提升DDR5内存的产量,增加库存,三星希望行业能改变对DDR5内存的看法,使其加速成为系统和设备的标配。
三星并不是第一次执行这种较为激进的定价策略,作为市场上最大的内存芯粒供应商,其策略将直接影响内存市场的供应和价格。一般来说,这种方法是为了让市场更快地采用新款内存,从收益方面来看会更有利可图。
除了三星以外,另一间大厂SK海力士也在减少DDR3内存的库存,在这一过程中增加DDR5内存的产量。不过有业内人士担忧,在当前策略和消费环境下,整个DRAM市场的增长会变得更加有限。此外,由于投入的成本过高,目前每个内存制造商在工艺方面的升级都比较缓慢。
除了NAND产品外,三星的内存产品策略也有所修改,目前DDR4性价比已经非常高了,高端的B DIE颗粒内存的极限性能并不会比DDR5差多少。现在,三星为了普及DDR4,选择进一步降低价格,以淘汰在特殊市场占有率依旧不小的DDR3。而随着新一代消费级处理器普及DDR5,三星也将加速DDR5内存的生产,目前DDR5内存的价格已经趋于稳定,不知道未来会不会有更低的价格?
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